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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能：
非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。BLC10G19XS...
2024/05/09 13:17福建厦门
BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能：
非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。BLC10G19XS...
2024/05/09 13:17
BLC10G19XS-551AVZ特性：
1.优异的耐用性
2.高效率
3.低耐热性，提供优异的热稳定性。BLC10G19XS-551AVZ特性：
4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能
。。。。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。。。BLC10G19XS-551A...
2024/05/09 13:17
BLC10G19XS-551AVZ典型性能：
非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。BLC10G19XS-551AVZ特性：
4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能
。。。。BLC10G19XS-551AVZ特...
2024/05/09 13:17浙江宁波
BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ 功率LDMOS晶体管 Ampleon
BLC10G19XS-551AVZ 550w LDMOS封装的不对称Doherty功率晶体管，用于频率从1930 MHz到2000 MHz的基站应用。于频率从1930...
2024/05/09 13:17河南郑州
BLC10G19XS-551AVZ特性：
7.集成ESD保护
8.有关RoHS合规性
#BLC10G19XS-551AVZBLC10G19XS-551AVZ 功率LDMOS晶体管 Ampleon
BLC10G19XS-551AVZ 550w LDMOS封装的不对称Doherty功率晶体管，用于频率从1930 MHz到2000 MHz的基站应用。于频率从1930 MHz到2000 M...
2024/05/09 13:17
BLC10G19XS-551AVZ特性：
1.优异的耐用性
2.高效率
3.低耐热性，提供优异的热稳定性。#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon；#射频功率放大器； #电子元器件；#亿胜盈科。测试电路：
印刷电路板(PCB):罗杰斯RO4350B;厚度-0.508毫米;两面铜度-35微米。部件清单见表11...
2024/05/09 13:17
BLC10G19XS-551AVZ特性：
4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能
。。。。#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon；#射频功率放大器； #电子元器件；#亿胜盈科。于频率从1930 MHz到2000 MHz的基站应用。非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。...
2024/05/09 13:17山西太原
