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TOLL 封装的尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK 封装的体积小60%。更薄的热性能优化功率分立产品
TOLL（TO-无引脚）封装能够节约空间，它为电流高达 300A 的汽车应用而量身定制。该封装的特...
2024/03/07 16:33广东深圳
产品说明：
20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET-20N65AQ1/F20N65AQ1/ 20N65DAQ1通过自对准平面技术获得，降低了传导损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。封装TO-220F。这符合RoHS的标准。
特点和功能
• 切换
• 低电阻(Rdson≤0.5Ω)
• 低门电荷(Typ：...
2021/12/31 10:35广东深圳
描述 TDM3408采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个 器件适合用作负载开关或PWM 应用。 一般特征 RDS（ON）<17.5mΩ@ VGS = 4.5V RDS（ON）<10.8mΩ@ VGS = 10V 高功...
2019/06/19 17:43广东深圳
特性 •20 v / 6, RDS(上)= 10 mΩ(Typ)@VGS = 4.5 v RDS(上)= 15 mΩ(Typ)@VGS = 2.5 v •低RDS(上) ·超高密度电池设计 •可靠和崎岖的 •可用的无铅和绿色设备(RoHS兼容) 应用程序 •电源管理 深圳市华...
2022/01/26 14:19广东深圳
针对高压MOSFET/IGBT驱动，中广芯源推出一系列高压半桥驱动芯片产品。该系列产品适用于电机驱动、DC-DC转换器、DC-AC逆变器、D类功率放大器等多种不同应用领域，具有过压保护、欠压保护、直...
2019/07/17 15:39广东深圳
N沟道增强型MOSFET TDM3458 描述 TDM3458采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 器件适合用作负载开关或PWM 应用。 一般特征 RDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V RDS（ON）&am...
2019/06/24 17:45广东深圳
ISU04N65A N沟道 MOSFET 应用范围 特征： •适配器 •符合RoHS标准 •电视主要电源 •低导通电阻 •SMPS电源...
2019/06/21 16:20广东深圳
ISA04N65A N沟道 MOSFET 应用范围 特征： •适配器 •符合RoHS标准 •充电器 •低导通电阻 •SMPS待机功率...
2019/06/19 17:40广东深圳
