MX29LV160DTXEI-70G旺宏供货稳定

MX25R6435F：
Macronix 串行多 I/O （MXSMIO™） 闪存不仅提供单 I/O，还提供多 I/O 接口。MX66xxx35 或 MX25xxx33/35/39/73/75 系列提供双 I/O 或四 I/O 操作，可将消费类应用的系统读取性能提高一倍或四倍。
MXIC/旺宏部分型号：
MX25R8035FM1IH1 MX25R512FM1IL0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IH0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IL0
MX25R8035FM2IH0 MX25R6435FZAIH0
MX25R8035FM2IL0 MX25R6435FZAIL0
MX25R8035FZUIH1 MX25R6435FZNIL0
我们只做原装，欢迎咨询合作！

Macronix将其MLC NAND闪存和控制器集成在BGA封装中，并具有与主机系统的标准接口。e•MMC™ 存储器是各种应用的理想选择，例如数字电视、机顶盒、信息娱乐、工业和网络应用。它还提供 11x10mm BGA 封装，适用于可穿戴应用。
MX25L25635FMI-10G-TR
MX25L25635FZ2I-10G
MX25L25645GM2I
MX25L25645GM2I-08G
MX25L25645GM2I-10G
MX25L25645GMI
MX25L25645GMI-10G
MX25L25645GMI-10GTR
MX25L25645GMJ-08G
MX25L25645GXDI-08G
MX25L25645GZ21-08G
MX25L25645GZ2I
MXIC/旺宏常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！

八路总线内存
主要特点：
支持3V/1.8V工作电压
向后兼容 x1 I/O SPI 接口
STR 和 DTR（双倍传输速率）模式均支持
用于读取、编程和擦除操作的新 DTR 功能
MX29LV160DBTI-70G
NOR 闪存 Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构，提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中，MX29LV 系列提供标准读取访问权限，且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。 ### 闪存，Macronix
并行 NOR 闪存
MXIC/旺宏部分型号：
MX25L3235EZNI-10G
MX25L3255DXCI-10G
MX25L3255EM2I-10G
MX25L3255EXCI-10G
MX25L3255EXDI-10G
MX25L4006EM1I-12G
MX25L4006EM2I-12G
MX25L4006EPI-12G
MX25L4006EZNI-12G
MX25L4006EZUI-12G
MX25L4006EZUI-12G TR
MX25L51245GMI
MX25L51245GMI-08
MX25L51245GMI-08G
MX25L51245GMI-10G
MX25L51245GMR-08G
MX25L51245GXDI-08G
MX25L51245GXDI-10G
MX25L51245GZ2I-08G
MX25L51245GZ2I-10G
MXIC/旺宏常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！

旺宏电子是少数能够提供从512Kbit 至 256Mbit 完整Serial Flash系列产品的公司，我们并拥有极小尺寸的Flash产品，可充分满足可携式电子产品日趋轻薄短小化的需求。在ROM唯读记忆体部份，我们已开始量产65奈米XtraROM®产品。旺宏电子也提供良裸晶粒(Known Good Die, KGD)产品，以供系统级封装(System In Package, SIP)的需求。

旺宏电子每年约投资营业额的10-12%于研发工作，历年发表的技术论文，持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子目前拥有超过四千项国际关键技术及专利等智慧财产权，并与高科技业界领导厂商成立技术合作联盟，共同进行相变化记忆体技术的研究；另外，旺宏电子也发表首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS™论文，皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。

旺宏电子目前拥有一座十二吋晶圆厂(晶圆五厂)、一座八吋晶圆厂(晶圆二厂)及一座六吋晶圆厂(晶圆一厂)，晶圆五厂及晶圆二厂主要生产制造旺宏自有非挥发性记忆体产品，晶圆一厂则以利基型逻辑产品的晶圆代工业务为主。