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25MHz高精度晶振2520封装有源晶振泰艺贴片晶振厂家

更新时间:2017-09-23 信息编号:122852621
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100≥ 1000件
  • 100.00 元

  • 32.768KHZMHz

  • 20PPM(MHz)

  • 晶振

详情介绍

联系方式
产品别名
贴片晶振
面向地区
深圳
标称频率
32.768KHZMHz
调整频差
20PPM(MHz)
温度频差
±20ppm(MHz)
型号
TO39-315M
总频差
±0.5PPM(MHz)

25MHz高精度晶振2520封装有源晶振泰艺贴片晶振厂家

封装介绍  贴片晶振是表贴式的石英晶体,常用于精尖端电子产品上;贴片晶振的体积要比直插的晶振体积小很多。工艺相对复杂很多
电器应用  一种无突出引脚的的晶体振荡器,能提供高精度振荡。贴片晶振目前广泛应用于手机, 电脑周边数码相机,MP3,U盘等高新技术产业,频率精度可以达到2PPM.  贴片晶振的主要封装有:8045,7050,6035,5032,4025,3225,2520.
技术指标  ⒈总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。  说明:总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳  定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心,而对其他频  率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如:精密制导雷达。  ⒉ 频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度  或带隐含基准温度的最大允许频偏。  fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)  fTref =±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|] fT:频率温度稳定度  (不带隐含基准温度)  fTref:频率温度稳定度(带隐含基准温度)  fmax :规定温度范围内测得的最高频率  fmin:规定温度范围内测得的最低频率  fref:规定基准温度测得的频率  说明:采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故  fTref指标的晶体振荡器售价较高。  ⒊ 频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定  频率允差所需要的时间。  说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要  频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使  用的军用通讯电台,当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本  振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用DTCXO只需要十几秒钟)。  ⒋ 频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关  系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后  的最大变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内最大的总频率变化(如:  ±1ppm/(第一年)和±5ppm/(十年))来表示。  说明:TCXO的频率老化率为:±0.2ppm~±2ppm(第一年)和±1ppm~±5ppm(十  年)(除特殊情况,TCXO很少采用每天频率老化率的指标,因为即使在实验室的条件下,温  度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化,因此这个指标失  去了实际的意义)。OCXO的频率老化率为:±0.5ppb~±10ppb/天(加电72小时后),±  30ppb~±2ppm(第一年),±0.3ppm~±3ppm(十年)。  ⒌频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的  最小峰值改变量。  说明:基准电压为+2.5V,规定终点电压为+0.5V和+4.5V,压控晶体振荡器在+  0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm,在+4.5V频率控制电压时频率改变量为+  130ppm,则VCXO电压控制频率压控范围表示为:≥±100ppm(2.5V±2V)。  ⒍压控频率响应范围:当调制频率变化时,峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规  定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。  说明:VCXO频率压控范围频率响应为0~10kHz.  ⒎频率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量  度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。  说明:典型的VCXO频率压控线性为:≤±10%,≤±20%.简单的VCXO频率压控线性计  算方法为(当频率压控极性为正极性时):  频率压控线性=±((fmax-fmin)/ f0)×100%  fmax:VCXO在最大压控电压时的输出频率  fmin:VCXO在最小压控电压时的输出频率  f0:压控中心电压频率  ⒏单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之  比。
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