STP11NK50ZFP，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述：
主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

STM32F105R8T6特性：
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF26N65DM2
STF26NM60N
STF27N60M2-EP
STF28N60DM2
STF28N60M2
STF28N65M2
STF2LN60K3
STF2N62K3
STF2N95K5
STF33N60DM6
STF33N60M2
STF33N65M2
STF35N65DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF13N60M2
STF13N65M2
STF13N80K5
STF13N95K3
STF13NK50Z
STF13NM60N
STF13NM60ND
STF140N6F7
STF14N80K5
STF14NM50N
STF15N65M5
STF15N80K5
STF15NM65N
STF16N65M5ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
STB18NF25
STB18NM80
STB20NM60D
STB20NM60T4
STB21N90K5
STB23N80K5
STB23NM60ND
STB24N60DM2
STB24N60M2
STB25NF06LAG
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 （C开放源码软件） 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD10NF10T4
STD10NM60N
STD10NM60ND
STD10P10F6
STD10P6F6
STD10PF06-1
STD10PF06T4
STD110N8F6
STD11N50M2
STD11N60DM2
STD11N65M2
STD11N65M5
STD12N50M2
STD12N60DM2AG
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！