TPS563219ADDFR，TI原装集成电路

TI德州仪器接口芯片分类CAN、LIN 收发器和 SBC：
汽车 CAN 收发器
汽车 LIN 收发器
系统基础芯片
3.3V CAN 收发器
5V CAN 收发器
隔离式 CAN 收发器
SN65HVD233-EP
增强型产品 3.3V CAN 收发器
SN65HVD233-Q1
正在供货
3.3V 汽车类 CAN 总线收发器
TI德州仪器部分型号：
SN74AUP2G17DCKR SN65LVDS104PWR
SN74AUP2G32DCUR SN65LVDS108DBTR
SN74AVC2T245RSWR SN74AHC1G32DBVR
SN74AVC4T245PWR SN74AHC1G32DCKR
SN74AVC4T245RSVR SN74AUC1G08DCKR
SN74AVC4T774RSVR SN74AUC2G66DCTR
SN74CB3Q3125PWR SN74AUP1G04DPWR
SN74CB3Q3253PWR SN74AUP1G07DCKR
SN74CB3Q3257PWR SN74AUP1G14DCKR
SN74CB3Q3305PWR SN74AUP1G17DCKR

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD93501-Q1 - 新产品 - Synchronous buck monolithic smart power stage
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

LP8867C-Q1
高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
其他同类型号：
TPS92519-Q1 - 汽车 2A 双路同步降压 LED 驱动器
LP8864-Q1 - 具有 4 个 200mA 通道的汽车显示 LED 背光驱动器
LP8864S-Q1 - 具有 4 个 150mA 通道的汽车显示 LED 背光灯
LP8866-Q1 - 具有 6 个 200mA 通道的汽车显示 LED 背光驱动器
LP8866S-Q1 - 具有 6 个 150mA 通道的汽车显示 LED 背光灯
LP8867-Q1 - 具有电力线 FET 保护的高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
LP8867C-Q1 - 高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
供货详细信息请咨询我们的业务人员。