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大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。
PTFE固有的低损耗与介电常数使其成为电线和电缆的理想绝缘材料。PTFE用作电线包覆层的理由:具有优良的电学性能,它的体积电阻率可达1017Ω,表面电阻率大于1016Ω,在100％相对湿度下也保持不变；介电常数低达2.0,介电损耗正切约为2×10-4且均与温频率无关;耐热性好,在260℃下长期使用,绝缘性好,可以达到H级以上；具有强韧性和可挠曲性,即使低至-90℃韧性依然没影响;耐老化,耐气候性优良,高度的化学稳定性;具有不燃和低发烟性。用其制成的印刷线路基板在航空航天领域已有广泛应用,所以PTFE制品特别适用于电信、计算机、测试与测量等诸多、高挑战性的领域。
PTFE能承受除熔融碱金属、氟元素和强氟化介质以及300℃的氢氧化钠以外的所有强酸、强碱、强氧化剂、还原剂等的作用。它的耐化学腐蚀性能超过贵金属、玻璃、陶瓷、搪瓷和合金等, 即使原子能工业中的强腐蚀剂上氟化铀对它也不腐蚀。
