TPS51285ARUKR，TI汽车级芯片

TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ24074RGTR描述：
具有电源路径、4.2V VBAT、10.5V 过压保护和 4.4V VOUT 的立型单节电池 1.5A 线性电池充电器
BQ25170J 800-mA JEITA-compliant linear battery charger for 1-cell Li-Ion and LiFePO4
BQ25175 采用 WCSP 封装的立单节 800mA 线性电池充电器
BQ51013B-Q1 符合 WPC 1.2 标准的汽车类完全集成式无线电源接收器 IC
BQ25672 具有双输入选择器和集成 ADC 的 I²C 控制型 1-4 节 3A 降压电池充电器
BQ25723 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 I²C 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
BQ25798 具有双输入选择器和 MPPT 的 I²C 控制型 1 至 4 节 5A 降压/升压太阳能电池充电器
BQ25720 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 SMBus 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
部分型号：
BQ24040DSQR BQ24725ARGRR
BQ24073RGTR BQ25504RGTR
BQ24074RGTR BQ25570RGRR
BQ24075RGTR BQ25895RTWR
BQ24100RHLR BQ28Z610DRZR
BQ24125RHLR BQ29700DSER
BQ24133RGYR BQ32000DR
BQ24172RGYR BPWR
BQ24210DQCR BPWR
BQ24640RVAR AMC1311DWVR我们只做原装，更多信息请咨询！

TI德州仪器电池管理电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

TPS61029QDRCRQ1
符合 AEC-Q100 标准的 0.9V 至 5.5V 输入范围、1.8A 升压转换器
封装信息
封装 | 引脚
VSON (DRC) | 10
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
TI/德州仪器电源管理芯片型号多，规格齐，需要具体型号请咨询。
其他部分型号有：
TPS78408QDBVRQ1
TPS74630PQWDRBRQ1
TPS74613PQWDRBRQ1
TPS6565342RHDTQ1
TPS61251DSGT
TPS22990DMLT
LMX2595RHAR
DAC8734SPFBR
TCAN334D
REF3430QDGKRQ1
TPS62130ARGTR