电子有源器件专用集成电路AW8697FCR,升压马达驱动器艾为.. 免费发布专用集成电路信息

AW8697FCR,升压马达驱动器艾为原装优势现货供应商

更新时间:2025-03-29 02:33:50 编号:0b33uo9tge187f
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  • AWINIC/艾为音频射频芯片

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周玉军

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产品详情

AW8697FCR,升压马达驱动器艾为原装优势现货供应商

关键词
AWINIC/艾为音频射频芯片
面向地区
全国
封装
QFN

AW15045FDR,GNSS LNA低噪声放大器
产品描述:
1. AW15045FDR是一款低噪声放大器,专为全球导航卫星系统(GNSS)设计,如GPS,北斗,GLONASS,伽利略和指南针。AW15045FDR 在 RFIN 和 RFOUT 处采用片上隔直电容,可以靠近天线,只需要一个外部输入匹配电感器,并降低了组装复杂性和 PCB 面积,从而实现经济的解决方案。
2. AW15045FDR 采用专利智能线性技术 (SLT),可在 1.5V 至 3.3V 的宽电源电压范围内实现低噪声系数、高线性度、高增益。所有这些特性使AW15045FDR成为GNSS LNA的选择,因为它以低噪声系数和高增益提高了灵敏度,以高线性度提供更好的抗带外干扰信号,降低了前的滤波要求,从而降低了GNSS接收器的总体成本。
3. AW15045FDR 采用小型无铅、符合 RoHS 标准的 1.1mm x 0.7mm x 0.37mm 6 引脚 FCDFN 封装。
艾为其他部分产品型号:
AW20036QNR
AW20054QNR
AW20072QNR
AW20108QNR
AW20144QNR
AW20198QNR
AW3640DNR
AW3642CSR
AW3644CSR
AW17245FCR
AW21036NR
AW21024EQNR
AW22127BFOR
AW22118BFOR
AW20144SQNR
艾为常用型号大量现货,全系优势供应,我们只做原装,欢迎合作!

AW8055BMPR,D类音频功率放大器,无裂纹噪声、低THD+N、低EMI第二代D类音频放大器
产品特征:
低谐波失真+N:0.007%
输出功率:
2.6W@10%总谐波电阻,RL=4Ω+33uH,VDD=5V 2.1W@1%THD,RL=4Ω+33uH,VDD=5V
AB/D工作模式
两个NCN电平:0.65w和0.85w
特的RNS
高信噪比:95dB
EEE 功能,在整个带宽
内大大降低 EMI 出色的爆音抑制
与AW8055兼容的引脚 AW8056B
单脉冲控制
无滤波器D类架构
高PSRR(75Hz时为217dB)
低关断电流(<0.1uA)
电源范围:2.5V~5.5V
过流保护
过热保护
MSOP-8L封装
艾为其他部分型号:
AW8055BMPR
AW32710CSR
AW32105CSR
AW32919FCR
AW32705CSR
AW32902FCR
AW32905FCR
AW32909FCR
AW32910FCR
AW37428CSR
AW35132ACSR
AW35131ACSR
AW35124ACSR
AWS90001DNR
AW93001FDNR
AW93001EDNR
艾为优势现货,我们只做原装,欢迎合作!

AW5008H1FDR是一款用于LTE高频段的低噪声放大器
AW5008H1 是一款专为 LTE 接收器应用设计的低噪声放大器。AW5008H1只需要一个外部输入匹配电感器,降低了装配复杂性和PCB面积,从而实现了经济的解决方案。
AW5008H1 可在 1.5V 至 3.1V 的宽电源电压范围内实现低噪声系数、高线性度、高增益。所有这些特性使AW5008H1成为LTE LNA的选择,因为它以低噪声系数和高增益提高了灵敏度,以高线性度提供更好的抗干扰信号能力,降低了前的滤波要求,从而降低了总体成本。
AW5008H1 采用小型无铅、符合 RoHS 标准、FCDFN 1.1mmX0.7mmX0.37 mm -6L 封装。
艾为其他部分型号:
AW360994DNR
AW37426LGR
AW17445FCR
AW21036QPY-Q1
AW32102ECSR
AW37004DNR
AW403001NDNR
AW402010NDNR
AW403002NDNR
AW3707D330DNR
AW3707D300DNR
AW3707D180DNR
AW3707D120DNR
AW3710D330STR
AW3710D300STR
AW3710D120STR
艾为优势现货,我们只做原装,欢迎合作!

AW8010AFCR是一款D类音频功率放大器,
产品概要:
AW8010A 是一款专有 TDD 抑制、低 EMI、
单声道、D 类音频功率放大器。AW8010A 采用艾
为专有的 RNS(RF-TDD Noise Suppression)技
术,有效抑制 TDD 噪声的产生。
AW8010A 采用专有的 EEE (Enhanced
Emission Elimination) 技术,在全带宽范围内极
大地降低了 EMI 干扰,对 60cm 的音频线,在 FCC
标准下具有超过 20dB 的裕量。
AW8010A 内置专有时序控制电路,实现全面
的噼噗-咔嗒声抑制,有效地消除了系统在上电、
下电、唤醒和关断操作时可能出现的瞬态噪声。
AW8010A 内置过流保护和过热保护功能,有
效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。
AW8010A 提供纤小 1.5mm×1.5mm FC-9 封
装,额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
艾为其他部分型号:
AW8010AFCR
AW87389FCR
AW87569FCR
AW86715GFCR
AW2016QNR
AW2023DNR
AW2033DNR
AW2013DNR
AW36801CSR
AW37503ACSR
AW37501BCSR
AW360992DNR
AW360993CSR
AW360993DNR
AW360992CSR
AW360994CSR
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AW33909FCR,多通道负载开关,2A 带压摆率控制的 6 通道负载开关
AW33909FCR产品特征:
集成 6 个 P 沟道 MOSFET 电源
电压:1.5V 至 5.5V 输入电压:1.2V 至 5.5V 典型导通电阻 导通电阻 (VVSYS=1.8V):RON=56mΩ 在 VINX=5.0V 时 RON=71mΩ 在 VINX=3.3V
时 RON=122mΩ 低静态和关断电流
I1C 配置(每通道):
开/关控制和电源顺序
可编程压摆率控制(8 种选项)
可选快速输出放电 (QOD)
可选反向电流阻断
2A 大连续电流,适用于 VINX>4.2V
FOWLP 1.8mm x 1.50mm x 1.50mm - 0B 封装
艾为其他部分型号:
AW33909FCR
AW15145DNR
AW15245DNR
AW5005EDNR
AW15019FDR
AW86915FCR
AW86927FCR
AW86917FCR
AW86907FCR
AW86223AQNR
AW86224AFCR
AW86225ACSR
AW8638DNR
AW8637DNR
AW86017PCSR
AW32280CSR
AW35201FDR
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AW32405CSR,集成浪涌的OVP,带浪涌保护的过压保护负载开关
产品详情:
AW324XX OVP 负载开关具有浪涌保护功能,内部箝位电路可保护设备免受高达 ±100V 的浪涌电压的影响。AW324XX 具有低 13mΩ(典型值)Rdson nFET 负载开关。
当输入电压超过OVP门,开关会非常快速地关闭,以防止损坏受保护的下游设备。IN引脚能够承受高达35VDC的故障电压。
默认过压保护门限为 6.8V (AW32405) 和 10.5V (AW32410),过压保护门限可通过外部 OVLO 引脚在 4V 至 20V 范围内调节。
该器件具有漏极开路输出 ̄(“ACOK”),当 VIN_UVLO < VIN < VIN_OVLO 且开关导通时,̄(“ACOK”)将被驱动为低电平以指示良好的电源输入,否则为高阻抗。
该器件具有过热保护功能,可防止自身受到热损坏。
艾为其他部分型号:
AW32405CSR
AW83118TSR
AW83119TSR
AW86504STR
AW86503DNR
AW86502STR
AW86502DNR
AW35615CSR
AW35602CSR
AW35611CSR
AW35612CSR
AW15085DNR
AW15065DNR
AW15645DNR
AW15045FDR
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