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晶圆随着芯片技术升级和降低成本需要而不断发展。在降低成本方面，通过不断变大晶圆尺寸以容纳更多电路和减少废弃比例就是晶圆的历史发展趋势。从1970年代至今，晶圆尺寸已经由过去的100mm（4英寸）发展至当前的300mm（12英寸）。根据IC Insight统计，2016年全球晶圆出货量为10738百万平方英寸，其中300mm晶圆占全球晶圆产能的63.6%，预计到2021年，全球将有123家12英寸晶圆厂，产能占比将达到71.2%。由于目前18英寸晶圆技术尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未来几年内300mm（12英寸）晶圆仍将是主流技术路线
校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道的工序，在晶圆制造中属于后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称为晶圆划片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大规模提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已不再适合。于是部分工序引入了激光切割技术。
加工优势：
1、划片速度快，，成片率高，切割速度150mm/s
2、非接触式加工，无机械应力，适合切脆性易碎晶圆
3、CCD快速定位功能，实现同轴监视或旁轴监视功能
4、二维直线运动平台，高精密DD旋转平台，大理石基石，稳定可靠，热变形小
5、操控系统，全中文操作界面，操作直观、简易、界面良好
6、无需砂轮刀、蓝膜、去离子水等耗材，高可靠性和稳定性，划片质量高，玻璃钝化层无崩裂和微裂纹。
硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的步。在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在半导体芯片的制作过程中,在晶圆表面形成多个芯片区域后,需要先在间隔处划出隔道而后再将一整块晶圆裂片成多个单的芯片。
