IRGP4063DPB和IRF3710S和BSP603S2L晶体管

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深圳市明佳达电子公司现货供应 IRGP4063DPB 和 IRF3710S 和 BSP603S2L 晶体管 只做原装 量大价优 质量 有意者欢迎致电咨询


IRGP4063DPB ：
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 96A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 144A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.14V @ 15V，48A
功率 - 大值 330W
开关能量 625µJ（开），1.28mJ（关）
输入类型 标准
25°C 时 Td（开/关）值 60ns/145ns
测试条件 400V，48A，10 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AC


IRF3710S ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3130pF @ 25V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 23 毫欧 @ 28A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB


BSP603S2L ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.2A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1390pF @ 25V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 33 毫欧 @ 2.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA


公司还长期供应以下型号：
DG4053AEQ
NCP81162MNR2G
HD64F39087GHV
U87C196MC
AD8361ARMZ
TXS0206YFPR
TOP265EG
ISL9219IRZ
ISL9301IRZ
SI7115DN
R5F212CCSDFP
UPD4722GS
RT9048GSP
1812-103J
H9TKNNN8KDMPQR
S29GL256P11TFIV10
OV7461
LP5907MFX-3.3