BFP540和IRF640N和BSC052N03晶体管和FSA4157多路复用器

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BFP540 晶体管 ：
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿（大值） 5V
频率 - 跃迁 30GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
增益 16dB
功率 - 大值 250mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（小值） 50 @ 20mA，3.5V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 80mA
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-82A，SOT-343
供应商器件封装 PG-SOT343-4


IRF640N 晶体管 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1160pF @ 25V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 150 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB


BSC052N03 晶体管 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta），57A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 770pF @ 15V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 5.2 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN


FSA4157 多路复用器 ：
开关电路 SPDT
多路复用器/解复用器电路 2:1
电路数 1
导通电阻（大值） 1.15 欧姆
通道至通道匹配（ΔRon） 60 毫欧
电压 - 电源，单（V+） 1.65 V ~ 5.5 V
电压 - 电源，双（V±） -
开关时间（Ton, Tof）（大值） 35ns，15ns
-3db 带宽 300MHz
电荷注入 20pC
沟道电容 （CS(off），CD（off）） 12pF
电流 - 漏泄（IS（off））（大值） 2nA（标准）
串扰 -70dB @ 1MHz
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳 6-UFDFN
供应商器件封装 6-MicroPak


公司还长期我供应以下型号：
AR5112A-001
SMP8656
IRF3808STRL
BM81028AMWV
HLCP-A100
RF8013
STM32L051K8U6
STM32F401VCT6
TSV524IPT
RF8013
BTM7710GP
STM32F427ZGT6
ADC081S021CISDX
INT5500A3G
LMP7704MAX
LM2664M6
EP3C120F484C8N
SFH615A-1
LTC2050CS8
GAL16V8D-15LP
HMC232ALP4ETR
RBQ-31250-CIS2
LM48901SQ
TLOF1060
PEF2055NV2.1


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