THCV219和THCV220解串行器和STB13NK60ZT4晶体管
产品别名 |
THCV219,THCV220,STB13NK60ZT4 |
面向地区 |
|
封装 |
原厂标准 |
深圳市明佳达现货供应 THCV219 和 THCV220 解串行器 和 STB13NK60ZT4 晶体管 库存货源充足 质量 只做原装 实单价格可详谈
THCV219 解串行器 :
功能 串行器
数据速率 3Gbps
输入类型 CMOS/TTL
输出类型 V-by-One®HS
输入数 35
输出数 1
电压 - 电源 2.3 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 64-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 64-QFN(9x9)
THCV220 解串行器 :
功能 解串器
数据速率 3.75Gbps
输入类型 V-by-One®HS
输出类型 CMOS/TTL
输入数 1
输出数 35
电压 - 电源 2.3 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 64-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 64-QFN(9x9)
STB13NK60ZT4 晶体管 :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 2030pF @ 25V
Vgs(大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 550 毫欧 @ 4.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
以上型号均为明佳达长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 价格请以当天询问为准
公司还长期供应以下型号:
ADG852BCPZ
VNDH5160AJTR
THCV219
THCV220
TPS51621RHAR
TPS92641PWPR
DS90UR910QSQ
HIP4081AIBZ
MSC7121ZQF
ASC8850AET
MP2136EG
LMR16006YDDCR
NLAS54404FCTAG
SAF-XE164F-96F66L
MIC2172YM
TLC2274AMDRG4
LT3972EDD
LTC1694IS5
BFQ790
LM3S1958-IQC50
HMC241QS16ETR
TC74VHC9541FT
TCV7100AF
TLP385
AS3729
MT29RZ4B8DZZNHSK-18W
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