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NTLUD3A260PZTAG和SI3586DV晶体管

更新时间:2018-08-15 17:43:33 信息编号:129999935
NTLUD3A260PZTAG和SI3586DV晶体管
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  • 原厂标准

  • NTLUD3A260PZTAG,SI3586DV

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详情介绍

产品别名
NTLUD3A260PZTAG,SI3586DV
面向地区
封装
原厂标准

NTLUD3A260PZTAG和SI3586DV晶体管

深圳市明佳达电子公司现货供应 NTLUD3A260PZTAG 和 SI3586DV 晶体管 库存货源充足 原装 质量 欢迎选购



NTLUD3A260PZTAG :
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 200 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 300pF @ 10V
功率 - 大值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-UDFN(1.6x1.6)



SI3586DV :
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A,2.1A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) -
功率 - 大值 830mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP


公司还长期供应以下型号:
HSMP-3816
EP2SGX90EF1152C5N
N25Q064A13E12D1E
XC17S50APDG8C
GAL16V8D-15LJNI
S34ML01G200TFI003
K4J10324QD-HC12
HY5PS561621AFP-25
ISL78322ARZ
BCR321U
VNQ5E250AJTR
PCF7341ATT
BA6287F
LTC3633EUFD
RFFM8500TR7
RFFM8200TR7
BQ24725ARGRR
WM7220IMS
TSL25723FN
NTLUD3A260PZTAG
SI3586DV
MMC3280MA
AD7156BCPZ
PIC18F24J11-I/SS

深圳市明佳达电子有限公司 9年

  • 储存ic,音频功放ic,驱动ic,开关ic
  • 深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1239-1241

———— 认证资质 ————

没有个人认证
企业认证已通过
天眼查已核实
手机认证已通过
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