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SIHW30N60E晶体管

更新时间:2018-08-15 17:43:33 信息编号:130863047
SIHW30N60E晶体管
20≥ 10只
  • 20.00 元

  • 原厂标准

  • SIHW30N60E,晶体管

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SIHW30N60E晶体管

产品别名
SIHW30N60E,晶体管
面向地区
封装
原厂标准
深圳市明佳达电子公司现货供应 SIHW30N60E 晶体管 大量全新原装 质量 价格实在 欢迎广大商友致电咨询

明佳达供应 SIHW30N60E 晶体管 全新原装 海量库存 欢迎选购

规格:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 2600pF @ 100V
Vgs(大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 250W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 125 毫欧 @ 15A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD
封装/外壳 TO-3P-3 整包


公司还长期供应以下型号:
SE2614BT
MSP430G2210IDR
SIHW30N60E
ISL54405IRUZ
TM4C129ENCPDTI3R
ISL29125IROZ
MCP3905A-I/SS
PL3120-E4T10
VIPER20ADIP
MB9BF506RBPMC
SPC5606BK0MLL6
TPS61085DGKR
MC13892DJVLR2
BSC440N10NS3G
IPD135N08N3G
MAX682ESA
OPA2170AIDGKR
TPS53318DQPR
ISL3159EIUZ
TPS65150RGER
NCP1606BDR2G
NTMD5838NLR2G
MP3308DL
EP4CE15M8I7N
BQ24192IRGER
SSL1523P
UBA2025T


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深圳市明佳达电子有限公司 10年

  • 储存ic,音频功放ic,驱动ic,开关ic
  • 广东深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1239-1241

———— 认证资质 ————

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