有源器件专用集成电路STM32L041K6U6D,ST微控制器32位.. 免费发布专用集成电路信息

STM32L041K6U6D,ST微控制器32位单片机供应商

更新时间:2024-06-26 03:09:30 编号:132b4j41oaa644
分享
管理
举报
  • 面议

  • ST意法单片机

  • 6年

周玉军

19925428559 2893759948

微信在线

产品详情

关键词
ST意法单片机
面向地区
全国

STM32L041K6U6D,ST微控制器32位单片机供应商

STM32F103VBT6特性:
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件,包括不同的外设集,下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用,如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

VNH5200ASTR性能特性:
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法单片机MCU其他型号(部分):
STM32F051R6T7
STM32F071V8H6
STM32F071CBU7
STM32F078CBU6
STM32F072V8H6
STM32F071VBH6
STM32F072R8T7
STM32F078VBH6
STM32F098CCU6
STM32F072VBH7
STM32F098VCT6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加,从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB,在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能,这意味着当器件用作本地稳压器时,可以将电路板的一部分置于待机状态,从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法单片机MUC型号(部分):
STM32F103VDH6
STM32F101ZET6
STM32F103ZFT6
STM32F103VFT7
STM32F107VBT6
STM32F105VCT7
STM32F101TBU6
STM32F103C8T7
STM32F103R8T7
STM32F105R8T7
STM32F101VBT6
STM32F103V8H6
STM32F103RBH7
STM32F103VBH6
STM32F103VBH7ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器(512 KB 闪存和 128 KB SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 (FSMC)(适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备)、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法单片机MUC型号(部分):
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配,易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号:
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力(TJ= 200 °C)
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号:
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
所有功能:
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数(FoM)
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号:
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 (C开放源码软件) 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分单片机型号:
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

留言板

  • ST意法单片机
  • 价格商品详情商品参数其它
  • 提交留言即代表同意更多商家联系我

详细资料

主营行业:IC集成电路
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
主营地区:深圳
企业类型:有限责任公司(自然人独资)
注册资金:人民币1000000万
公司成立时间:2018-12-27
经营模式:生产型
最近年检时间:2018年
登记机关:南山局
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^
公司邮编:518000
小提示:STM32L041K6U6D,ST微控制器32位单片机供应商描述文字和图片由用户自行上传发布,其真实性、合法性由发布人负责。
周玉军: 19925428559
在线联系: 2893759948
让卖家联系我