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江苏DTS美国DTS替代DTS功率器件焊片

更新时间:2025-02-21 03:05:00 编号:133h0fso4e890c
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刘志

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江苏DTS美国DTS替代DTS功率器件焊片

关键词
DTS预烧结焊片,DTS烧结银系统,DTS烧结银焊片,DTS碳化硅芯片焊片
面向地区
全国
加工定制
熔点
450℃
材质
是否含助焊剂

可实现高可靠、高导电的连接的需求,很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商,在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术,

目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场,在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外,由于烧结银的膜厚只有20um-50um,不像传统的锡膏搭接方式可通过锡膏量的调整补正搭接面平整度不佳造成的搭接问题,烧结银的搭接技术对于搭接处的公共平面度要求公差只有20um,对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。

单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。

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