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晶圆单片清洗花篮,包括调节杆和托盘,调节杆包括圆柱杆和第二圆柱杆,第二圆柱杆和托盘固定连接,托盘底部设有通孔,托盘边缘设有环形凸起,环形凸起上设有若干个缺口,托盘上设有台阶,且台阶位于环形凸起上的一个缺口上,托盘上圆周分布有三个挡板,挡板下端固定连接有限位块,限位块下端固定连接有定位块,挡板滑动连接有滑动凹槽,限位凹槽上均匀的设有多个定位凹槽,定位凹槽的大小与定位块相匹配。
半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法,其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍,采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用,降低化学品的消耗量,提高晶片成本效益。
硅片清洗花篮及提把耐强酸,强碱,耐有机溶剂,质地柔软,不损伤硅片,不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的,一体成型,无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性,同时金属元素空白值低,无溶出无析出,不会污染芯片晶圆等。
密封件的性能好坏对整个机器设备的效率与性能都有很大的影响。PTFE材料具有的耐腐蚀、耐老化、低摩擦系数及不粘性、耐温范围广、弹性好的特性使其非常适合应用于制造耐腐蚀要求高,使用温度100℃的密封件。如机器、热交换器、高压容器、大直径容器、阀门、泵的槽形法兰的密封件,玻璃反应锅、平面法兰、大直径法兰的密封件,轴、活塞杆、阀门杆、蜗轮泵、拉杆的密封件等等。
随着材料应用技术的不断发展,PTFE材料的三大缺点:冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服,从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。
PTFE固有的低损耗与介电常数使其成为电线和电缆的理想绝缘材料。PTFE用作电线包覆层的理由:具有优良的电学性能,它的体积电阻率可达1017Ω,表面电阻率大于1016Ω,在100%相对湿度下也保持不变;介电常数低达2.0,介电损耗正切约为2×10-4且均与温频率无关;耐热性好,在260℃下长期使用,绝缘性好,可以达到H级以上;具有强韧性和可挠曲性,即使低至-90℃韧性依然没影响;耐老化,耐气候性优良,高度的化学稳定性;具有不燃和低发烟性。用其制成的印刷线路基板在航空航天领域已有广泛应用,所以PTFE制品特别适用于电信、计算机、测试与测量等诸多、高挑战性的领域。
PTFE在化工中的另一大应用是密封材料。由于聚四氟乙烯综合性能良好,是任何一种密封材料都不可比拟的, 它可用于各种苛刻场合的密封,尤其是对于高温、耐腐蚀性要求较高时。聚四氟乙烯生料带纤维长、强度高,而且塑性大、压延性好,施加较小的压紧力就可完全密封,操作应用方便,用在凹凸不平或结构精密的表面更显其,具有很好的密封性能并且可提高抗腐蚀能力, 扩大其使用范围。
PTFE的机械性能相对于其他塑料差一些,但在-73℃至204℃宽温度范围内,其性能仍保持在有用的水平。通常通过添加一些填充物来增加其机械性能,它具有非常的热电绝缘性能并且摩擦系数很低。PTFE非常致密且不能进行熔融加工,将其压缩并烧结以形成有用的形状。