上海DTSDTS+TBC工艺DTS射频芯片焊片

可实现高可靠、高导电的连接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商，在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术，

在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。

众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类，二者集成为功率模块（包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块）。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高，当前的封装材料已经达到了应用极限。

善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘，为客户带来多重便利，包括无需印刷、点胶或干燥，GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起，同时具有较高的灵活性，可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。

SHAREX的预烧结银焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是结合了烧结银，铜箔和其他材料的一种复合材料，由以下四个部分组成：具有键合功能的铜箔；预涂布AS9385系列烧结银；烧结前可选用临时固定的胶粘剂；保护膜或者承载物。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，银，铜表面剪切强度都很大。

在能源效率新时代，SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大的发展空间。