产品别名 |
N道沟 MOS管场效应管,分立半导体产品,晶体管,三极管 |
面向地区 |
加工定制 |
否 |
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激励方式 |
光泵式 |
波段范围 |
远红外 |
运转方式 |
连续激光器 |
封装外形 |
SMD(SO)/表面封装 |
型号 |
IRF7832TRPBF |
IRF7832TRPBF IRF7832 TO-252 20A 30V N道沟 MOS管场效应管
型号：IRF7832TRPBF
包装:4000/盘
类别：分立半导体产品
产品族：晶体管-FET MOSFET 单
系列：HEXFET
FET类型:N道沟
技术：MOSFET金属氧化物
漏源电压：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A
驱动电压：4.5V-10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs：2.32V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷：51nC @ 4.5V
Vgs：±20V
不同 Vds 时的输入电容:4310pF @ 15V
功率:25W
工作温度:-55°C ~ 155°C
封装：SOP-8 3.9MM宽
