氮化硅柱塞棒_安全可靠
<P>氮化硅柱塞棒概述<BR>本公司引进高科技氮化硅陶瓷制造技术的基础上按照国家标准生产的氮化硅柱塞棒,以高纯氮化硅粉为原料，利用干压及等静压成型技术（得到理想的氮化硅柱塞棒坯体密度），经1600℃以上高温烧结获得高密度、高强度氮化硅陶瓷制品。可广泛应用于机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上作为作某些设备或产品的零部件，取得了很好的预期效果。近年来，随着制造工艺和测试分析技术的发展,氮化硅柱塞棒等氮化硅陶瓷制品的可靠性不断提高，因此应用面在不断扩大。</P>
<P><IMG src=""><BR>氮化硅柱塞棒特点<BR>1、工艺优良:氮化硅柱塞棒采用高纯氮化硅粉为原料，利用干压及等静压成型技术，经高温烧结具有高强度，硬度，致密度。陶瓷快速无模成型工艺简介
熔融沉积成型（FDC）
FDC生产效率较高，但表面精度较低。在FDC中通常将陶瓷粉与特制的粘结剂混合，挤制成细丝。通过计算机控制将细丝送入熔化器，在稍其熔点的温度下熔化，再从喷嘴挤至成型平面上。通过控制喷嘴在x-y方向和工作平台在z方向的移动可以实现三维部件的成型。该工艺对丝的要求较为严格，需要合适的粘度、柔韧性、弹性模量、强度和结合性能等。
分层制造成型（LOM）
LOM工艺利用激光在x-y方向的移动切割每一层薄片材料。每完成一层的切割，控制工作平台在z方向的移动以叠加新一层的薄片材料。激光的移动由计算机控制。层与层之间的结合可以通过粘结剂或热压焊合。由于该方法只需要切割出轮廊线，因此成型速度较快，且非常适合制造层状复合材料。用于叠加的陶瓷材料一般为流延薄材。<BR>2、性能稳定:氮化硅柱塞棒具有的耐磨，耐高温，耐腐蚀性。氮化硅陶瓷以其的高温强度和韧性,抗热震性和化学稳定性而成为有应用前景的高温结构材料之一。但由于氮化硅的强共价键和低扩散系数,很难烧结致密化。人们发现很多金属氧化物如氧化镁、氧化铝以及稀土氧化物等,在烧结过程中可与氮化硅粉末表面的二氧化硅反应生成硅酸盐液相,从而可有效地促进氮化硅陶瓷的烧结。MgO-Y2O3复合烧结助剂对氮化硅陶瓷常压烧结致密化过程和性能的影响,利用MgO-Y2O3复合烧结助剂实现了氮化硅陶瓷的常压烧结。
相关实验说明采用常压烧结工艺成功的制备了氮化硅-MgO-Y2O3陶瓷材料,氧化镁-氧化钇的组合是一种非常有效的氮化硅陶瓷的烧结助剂,常压烧结氮化硅-MgO-Y2O3陶瓷材料,相对密度达99%,抗弯强度达950 MPa,断裂韧性7.5 MPa#m1/2。氧化镁和氧化钇在烧结过程中会与氮化硅粉末表面的二氧化硅反应生成硅酸盐液相,冷却后,这些硅酸盐液相则转变成了玻璃相留在烧结体中,烧结体中只有氮化硅相。<BR>3、应用广泛：氮化硅柱塞棒可广泛应用于机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上作为作某些设备或产品的零部件。氮化硅陶瓷制品的生产方法有两种，即反应烧结法和热压烧结法。反应烧结法是将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生产方法成型。然后在氮化炉内，在1150~1200℃预氮化，获得一定强度后，可在机床上进行机械加工，接着在1350~1450℃进一步氮化18~36h，直到全部变为氮化硅为止。这样制得的产品尺寸，体积稳定。热压烧结法则是将氮化硅粉与少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、AlF3或Fe2O3等），在19.6MPa以上的压力和1600~1700℃条件下压热成型烧结。通常热压烧结法制得的产品比反应烧结制得的产品密度高，性能好。
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<P><IMG src=""><BR>我们的氮化硅柱塞棒产品优势<BR>质量稳定：实行全过程质量监控，细致入微，检测！<BR>价格合理：内部成本控制，减少了开支，有利于客户！<BR>交货快捷：生产流水线，充足的备货，缩短了交货期！<BR>氮化硅柱塞棒实拍图<BR>氮化硅柱塞棒选型手册<BR>面对市场上各式各样的陶瓷材料，比如氧化铝陶瓷，氧化锆陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化铝陶瓷，氮化硼陶瓷等工业陶瓷。很多客户会感到忙绕。目前市面上的陶瓷产品选型手册和选型标准一般是按照材料的性能和应用来分类。<BR>氮化硅柱塞棒制备方法：氮化硅陶瓷的制备技术发展很快，由于氮化硅是强共价化合物，其 扩散系数、致密化所的体积扩散及晶界扩散速度、烧结驱动力很小，这决定了纯氮化硅不能靠常规固相烧结达到致密化。目前氮化硅陶瓷烧结工艺方法主要有：常压烧结、反应烧结 、热压烧结、气压烧结等。
1：常压烧结：常压烧结是以高纯、超细、高α相含量的氮化硅粉末与少量 助烧剂混合，通过成形、烧结等工序制备而成。由于常压烧结法很难制备高密度的纯氮化硅材料，为了获得的氮化硅材料，需要加入助烧剂与氮化硅粉体表面的SiO2反应,在高温下形成液相，活化烧结过程，通过溶解析出机制使其致密。因此，常压烧结氮化硅研究的关键在于选择合适的助烧剂。目前常用的助烧剂主要有：MgO、Y2O3、稀土元素氧化物、复合助烧剂等，这些助烧剂能控制液相粘度，提高相转变，防止固溶体形成，降低晶格氧含量并控制玻璃相组成和含量。
2：气压烧结法：近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大 的进展。气压烧结氮化硅在1～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进氮化硅晶粒生长，而获得密度>99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷.因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视.气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近 终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
3：反应烧结法：是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放 入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻). 后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率<011%).该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸的零件，成本也低，但氮化时间很长。
4：热压烧结法：是将氮化硅粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、 Fe2O3等） ，在 1916MPa以上的压强和1600℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结氮化硅陶瓷，其强度高达 981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在氮化硅陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对 氮化硅陶瓷材料进行1400———1500℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的氮化硅陶瓷的机械性能比反应烧结的氮化硅要，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件， 只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。
5 ：其它制备方法：重烧结是将反应烧结的氮化硅烧结坯在助烧剂存在的情 况下，置于氮化硅粉末中，在高温下重烧结，可得到致密的氮化硅制品，重烧结过程中的收缩仅有6%~10%，可制备形状复杂、性能优良的部件。热等静压烧结是将氮化硅及助烧剂的混合物粉末封装到金属或玻璃包套中，抽真空后通过高压气体在高温下烧结，制得的氮化硅陶瓷可达理论密度，但工艺复杂成本较高。此外，近年来还发展了如压烧结、化学气相沉积、爆炸成形等烧结和致密化工艺均获得不错的效果。<BR>氮化硅柱塞棒氮化硅的特点和应用
合成方法、形貌等，可以把根据碳化硅的结构、
氮化硅陶瓷分成氮化硅纤维、纳米氮化硅、氮化硅复
合材料、氮化硅薄膜、氮化硅陶瓷球五类。氮化硅纤维：高收率、、耐化学腐蚀、耐高温性能好。是航天航空、汽车发动机等耐高温部件有希望的候选材料。
纳米氮化硅：高撕裂强度、拉伸强度、耐磨性、降低内耗、改善橡胶的动态力学和耐热老化。可用于制作陶瓷、发动机零部件和刀具，或作为抗腐蚀和电磁方面的材料。
氮化硅复合材料：耐高温、低介电、抗蠕变。用于制作抗氧化导弹的天线罩。
氮化硅薄膜：优良的光电性能、很高的化学稳定性，抗杂质扩散和水汽渗透能力强。氮化硅陶瓷球：高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、重量轻、加工精度高、自润滑性、绝缘性。是陶瓷轴承、混合陶瓷球轴承的材质。</P>
<P>氮化硅柱塞棒订购注意事项<BR>1、此产品不支持网上订购，由于氮化硅陶瓷产品大多数属于非标定制件，如您需要订购氮化硅柱塞棒产品请随时致电联系我们，我们一定会尽心尽力为您提供的服务。电话： <BR>2、①需要提供图纸或者样品。②需要告知订购数量③需要告知应用场合及对产品的技术要求④使用温度⑤使用介质⑥其他要注意的事项。<BR>3、如有特殊要求时请在订购产品时注明。<BR>4、当使用的场合非常重要或者环境比较复杂时，请尽量提供设计图纸。</P>
<P>氮化硅柱塞棒使用注意事项<BR>氮化硅陶瓷属于硬脆材料，在材料的加工使用过程中应注意：<BR>制备方法：氮化硅陶瓷的制备技术发展很快，由于氮化硅是强共价化合物，其 扩散系数、致密化所的体积扩散及晶界扩散速度、烧结驱动力很小，这决定了纯氮化硅不能靠常规固相烧结达到致密化。目前氮化硅陶瓷烧结工艺方法主要有：常压烧结、反应烧结 、热压烧结、气压烧结等。
1：常压烧结：常压烧结是以高纯、超细、高α相含量的氮化硅粉末与少量 助烧剂混合，通过成形、烧结等工序制备而成。由于常压烧结法很难制备高密度的纯氮化硅材料，为了获得的氮化硅材料，需要加入助烧剂与氮化硅粉体表面的SiO2反应,在高温下形成液相，活化烧结过程，通过溶解析出机制使其致密。因此，常压烧结氮化硅研究的关键在于选择合适的助烧剂。目前常用的助烧剂主要有：MgO、Y2O3、稀土元素氧化物、复合助烧剂等，这些助烧剂能控制液相粘度，提高相转变，防止固溶体形成，降低晶格氧含量并控制玻璃相组成和含量。
2：气压烧结法：近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大 的进展。气压烧结氮化硅在1～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进氮化硅晶粒生长，而获得密度>99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷.因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视.气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近 终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
3：反应烧结法：是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放 入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻). 后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率<011%).该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸的零件，成本也低，但氮化时间很长。
4：热压烧结法：是将氮化硅粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、 Fe2O3等） ，在 1916MPa以上的压强和1600℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结氮化硅陶瓷，其强度高达 981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在氮化硅陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对 氮化硅陶瓷材料进行1400———1500℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的氮化硅陶瓷的机械性能比反应烧结的氮化硅要，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件， 只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。
5 ：其它制备方法：重烧结是将反应烧结的氮化硅烧结坯在助烧剂存在的情 况下，置于氮化硅粉末中，在高温下重烧结，可得到致密的氮化硅制品，重烧结过程中的收缩仅有6%~10%，可制备形状复杂、性能优良的部件。热等静压烧结是将氮化硅及助烧剂的混合物粉末封装到金属或玻璃包套中，抽真空后通过高压气体在高温下烧结，制得的氮化硅陶瓷可达理论密度，但工艺复杂成本较高。此外，近年来还发展了如压烧结、化学气相沉积、爆炸成形等烧结和致密化工艺均获得不错的效果。 <BR></P>
