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原装出售NCP5623DTBR2G和IRFB4110PBF和DS90UH926QSQ集成电路IC

更新时间:2019-03-23 16:28:02 信息编号:259486417
原装出售NCP5623DTBR2G和IRFB4110PBF和DS90UH926QSQ集成电路IC
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  • 原厂标准

  • NCP5623DTBR2G,IRFB4110PBF,DS90UH926QSQ

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详情介绍

原装出售NCP5623DTBR2G和IRFB4110PBF和DS90UH926QSQ集成电路IC

产品别名
NCP5623DTBR2G,IRFB4110PBF,DS90UH926QSQ
面向地区
封装
原厂标准
深圳市明佳达电子公司为你提供质量的原装产品 NCP5623DTBR2G 和 IRFB4110PBF 和 DS90UH926QSQ 集成电路IC 全新原装 质量 海量库存 欢迎选购


一、NCP5623DTBR2G LED 驱动器:
类型 线性
拓扑 -
内部开关 是
输出数 3
电压 - 供电(低) 2.7V
电压 - 供电(高) 5.5V
电压 - 输出 -
电流 - 输出/通道 30mA
频率 1MHz
调光 -
应用 背光,照相机闪光灯
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 14-TSSOP


二、IRFB4110PBF 晶体管 - FET,MOSFET - 单:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 4.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 210nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 9620pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 370W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


三、DS90UH926QSQ 接口 - 串行器,解串行器:
功能 解串器
数据速率 2.975Gbps
输入类型 FPD 链路III,LVDS
输出类型 LVCMOS
输入数 1
输出数 31
电压 - 电源 1.71V ~ 1.89V,3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 60-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 60-WQFN(9x9)


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NCP5623DTBR2G
QPA5219
QPF4518
RFPA5542
AM3358BZCZ80


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