LM321MFPB,，TI德州仪器原装供应商

常规说明
集成了射频 (RF)、功率放大器 (PA)、时钟、RF 开关、滤波器、无源器件和电源管理单元
可利用 TI 模块配套资料和参考设计实现快速硬件设计
工作温度：–20°C 至 70°C
小封装尺寸：13.3mm x 13.4mm x 2mm
100 引脚 MOC 封装
经 FCC，IC，ETSI/CE 和 TELEC 认证的芯片天线
TI其他部分型号：
TPS62262DRVT TPS92641PWPR/ NOPB
TPS62362YZHT UCC21220AD
TPS62827ADMQR UCC21540ADWR
TPS62992QRYTRQ1 UCC27201DDA
TPS62993QRYTRQ1 UCC27211ADRMT
TPS65145PWP UCC27425QDRQ1
TPS65250RHAT UCC27517DBVT
TPS709B33DBVT UCC27524AQDRQ1
TPS715A01DRVR UCC2800QDRQ1
TPS735285DRVT UCC2813QDR-4Q1
TPS74601PDRVT UCC28600DR
TPS7B6833QPWPRQ1 UCC5350SBD
TPS92641PWPPB WL1801MODGBMOCR
TI常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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