W25X05CLXS01，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存，具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV（128M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
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W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W9825G6JB系列型号：
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述：
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级：-6，-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范，支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点：
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4，194，304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式：标准和低功耗  CAS 延迟：2 和 3 
突发长度：1、2、4、8 和整页 
突发读取，单次写入模式  字节数据由LDQM控制， UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口：LVTTL  采用 TFBGA 54 球 （8x8 mm2） 封装，
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
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W74M12JW：W74M产品不但能够让系统设计人员强化程序和资料存储的安全，也可以提供物联网周边设备连到云端的安全性，以及多层次的物联网设备的安全认证。此系列的安全产品也提高了网关、传感器、智慧门铃、网路摄影机和其他新兴设备的安全性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q40EWUXIE W25Q64CVSFIG
W25Q512JVEIQ W25Q64CVSFSG
W25Q512JVEIQT W25Q64CVSIG
W25Q512JVFIM W25Q64CVSSIG
W25Q512JVFIQ W25Q64CVSTIM
W25Q64BVFIG W25Q64CVZEIG
W25Q64BVSSI W25Q64CVZESG
W25Q64BVSSIG W25Q64CVZPAG
W25Q64CVCIP W25Q64CVZPIG
W25Q64CVFIG W25Q64DWIG
W25Q64CVIG W25Q64DWSIG
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
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