产品别名 |
金属氧化物,MOS管,分立半导体,芯片 |
面向地区 |
封装 |
PG-HSOF-8-1 |
IPT004N03L 004N03L H-PSOF-8-1 30V300A N道沟MOS管 原装
型号：IPT004N03L
包装：2000/盘
类别：分立半导体产品
产品族：晶体管 FET MOSFET 单
FET类型：N道沟
类型：MOSFET 金属氧化物
漏源电压：30V
连续漏极电流：300A
驱动电压：4.5V-10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：0.4 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 ：163nC @ 4.5V
Vgs：±20V
不同 Vds 时的输入电容：24000pF @ 15V
功率耗散：3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装
封装：PG-HSOF-8-1
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