P0804BVG尼克森微40VMOS管
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更新时间：2020-08-15 08:43:22 信息编号：371pdfh4gcb686

价格：
面议
加工定制：
否
激励方式：
其它
关键词：
P0804BVG,40V MOS,HN4004

王生

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详情介绍

P0804BVG尼克森微40VMOS管

产品别名	P0804BVG,40V MOS,HN4004	面向地区	广东深圳	加工定制	否
激励方式	其它	波段范围	其它	封装外形	SOP8
型号	HN4004

深圳市三佛科技有限公司供应P0804BVG 尼克森微 40V MOS管，替代型号HN4004，原装，库存现货

P0804BVG 参数：40V 12A SOP8 N沟道 MOS管/场效应管

品牌：尼克森微
型号：P0804BVG
VDS：40V
IDS：12A
封装： SOP8
沟道：N沟道
P0804BVG 原装，P0804BVG 库存现货

HN4004可以替代 P0804BVG

HN4004 参数： 40V 10A SOP8 N沟道 MOS管/场效应管

HN4004 参数： 40V 10A SOP8 N沟道 MOS管/场效应管
黄生：手机（）：
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售后服务：公司免费提供HN4004样品，并提供HN4004产品运用的技术支持。
阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。

HN4004可替代：FKS4004，NCE4009S，NCE4012S，NCE4015S，PV548BA，PV608BA，PV6A8BA，PV6A6BA，PV6A4BA，P0804BVG，UTT20N04，NCE40ND0812S，AO4450，AO4480，AO4484，AP9465GEM，AP9466GM，AP9467AGM，AP9468GM，AP9470GM，AP9985GM，

HN4004采用的沟槽技术和设计，以提供的RDS（开），低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用
一般特性：vds=40V，id=13A rds（开）<11MΩ@vgs=10V（典型8.1兆欧）rds（开）<16兆欧@vgs=4.5伏（典型11 MΩ）。低RDSON的高密度电池设计。完全特征雪崩电压和电流.。稳定性好，均匀性好，EAS高。散热性好的封装。
应用：负荷切换。硬开关和高频电路。不间断电源。
提高充电速度的方法有两个大方向:一是提高电压，二是提高电流。提高电压会增大充电过程中的发热量，加速电池老化并可能带来安全隐患，因此实际效果不佳。相比之下，提高电流则较为现实。VOOC闪充技术采用低电压高电流模式，了充电过程中的安全性

P0804BVG 尼克森微 40V MOS管，替代型号HN4004

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