STN32F401VCT6,ST意法集成电路单片机

主营产品：MCU单片、存储芯片、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F427VIT6性能：
STM32F427xx和STM32F429xx器件基于Arm®Cortex -M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU ),增强了应用的安全性。
所有器件都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。它们还具有标准和通信接口。
其他ST意法部分型号：
ST25R3911B-AQFT
STGD25N40LZAG
STM32F302CBT6TR
STM32WB55VGY6TR
STM8S005C6T6TR
STPM34TR
STWD100NPWY3F
TSV914IPT
VL6180V1NR/1
VN7050AJTR
我们只做原装，ST/意法常用型号备有大量现货，更多型号请咨询

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、音频功放、驱动芯片、监控芯片。
STM32F407ZGT6特性：
STM32F405xx和STM32F407xx系列基于Arm®皮质®-M4 32位RISC内核，工作频率高达168 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU ),增强了应用的安全性。
STM32F405xx和STM32F407xx系列集成了高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存，高达192千字节的SRAM)，高达4千字节的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的大量增强I/o和外设。
所有器件都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。一个真正的随机数发生器(RNG)。它们还具有标准和通信接口。
ST意法部分型号：
STM32F373CCT6
STM32F446RET6
STM32F407ZGT6
STM32F030RCT6TR
STM32F102R8T6
STM32L151RDT6
STM32L152VDT6
STM6822TWY6F
STPS5H100BY-TR
VL53L1CXV0FY/1
VND5T035AKTR-E
AIS328DQTR
M24C32-DRMN3TP/K
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主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030K6T6特性：
核心:Arm®32位皮层®-M0 CPU，频率高达48 MHz
记忆
16到256千字节的闪存
带硬件奇偶校验的4至32千字节SRAM
CRC计算单元
复位和电源管理
数字和I/o电源:V直接伤害= 2.4 V至3.6 V
模拟电源:V数字微分分析器= V直接伤害至3.6 V
上电/关断复位(POR/PDR)
低功耗模式:睡眠、停止、待机
时钟管理
4至32 MHz晶体振荡器
用于带校准的RTC的32 kHz振荡器
内置8 MHz RC，带x6 PLL选项
内部40 kHz RC振荡器
ST部分型号：
STM32F412ZET6
STM32F302R8T6
LIS2HH12TR
M95040-WMN6TP
PM8834TR
PMB9643
ST1480ACDR
STD25N10F7
STD6N95K5
STGWA40H65DFB
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

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L9966CB-TR描述：
L9966是一款汽车级IC，设计用作传感器接口。多达15个通道可用于模拟传感、电阻测量和数字传感(例如温度、λ、压力、位置传感器)。
L9966允许更换许多分立元件，并允许在不修改PCB硬件的情况下改变不同应用的传感器。
目标应用是发动机控制单元和车身/底盘模块。
ST其他更多型号：
STM32F767BIT6
STM32F423VHT6
STM32F103TBU6
TDA7803A-ZST
TDA8954TH/N1
VND5E004A30TR-E
VNL5030JTR-E
VNQ7040AYTR
VNQ7E100AJTR
A5975ADTR
ESDCAN03-2BWY
E-L9826TR
H3LIS100DLTR
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LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。
电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法部分型号：
STM32F401RDT6TR
STM32F429ZIT6
STM32F765IIK6
STM8AF6246UCX
STM32F429VIT6
STM32L471VET6TR
STM32F205VGT7
STM32G431KBU3
STM32F469AIH6
STM32G474RET3
STM32F303CBT7
STM32G473RCT6
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VNLD5090TR-E产品描述
VNLD5090-E是采用意法半导体VIPower技术制造的单芯片器件，用于驱动电阻性或电感性负载，其一端连接到电池。内置热关断保护芯片免于过热和短路。输出电流限制可在过载情况下保护器件。在长时间过载的情况下，器件会将功耗限制在安全水平，直至热关断干预。具有自动重启功能的热关断允许器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。感性负载的快速退磁在关断时实现。

更多其他型号：
VNLD5090TR-E
VN7003ALHTR
VN750B5TR-E
STTH2003CG-TR
LDK320AM120R
M93C46-WMN6TP
ST25RU3993-BQFT
STD4NK100Z
STM32F072CBU6TR
STM32F437VIT6TR
STM32L073RBH6TR
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