关键词 |
可控硅 |
面向地区 |
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封装外形 |
平板形 |
极数 |
二极 |
可控硅主要参数:电流
1、额定通态电流即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压或断态重复峰值电压,俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏;
3、控制极触发电流,俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;
4、在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个:阳,阴和门;晶闸管工作条件为:加正向电压且门有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管的工作原理:
1、晶闸管具有单向导电性:正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加触发信号;
2、晶闸管一旦导通,控制失去作用:若使其关断,降低UAK或加大回路电阻,把阳电流减小到维持电流以下;
晶闸管的结构:晶闸管由四层半导体材料构成,它有三个:阳,阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
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