TPS7A4501DCQR，TI原装集成电路

TAS5548DCAR
具有集成 ASRC 和音频处理器的 96KHz PWM 调制器
音频输入或输出
多达 5 个同步串行音频输入（10 个通道）
多达 1 个同步串行音频输出（2 个通道）
当与外部晶振一起使用时的 I2S 主控模式
具有自动/手工采样速率检测的受控模式 32-192kHz
8 个可支持 AD 或 BD 调制的差分 PWM 输出
两个差分 PWM 头戴式耳机输出
针对外部无线子
PWM 输出的 I2S 支持单端 (S.E.) 或桥接负载 (BTL)
TPS54361QDPRRQ1
正在供货
具有软启动功能的 4.5V 至 60V 输入、3.5A、降压直流/直流转换器
TPS54361-Q1 的说明
TPS54361-Q1 器件是一款 60V，3.5A，降压稳压器，此稳压器具有一个集成的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。按照 ISO 7637 标准，此器件能够耐受的抛负载脉冲高达 65V。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式和 152µA 的电源电流可在轻负载时实现率。当使能引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至 2µA。

SN74HC595PWR
具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
TI德州仪器逻辑 IC产品其他部分型号：
SN74HCT541DWR SN74HCS574QPWRQ1
SN74HCS264QDRQ1 SN74HC138DR
SN74HC365DR SN74HC21DR
SN74HCS08QDRQ1 SN74HC00PWR
SN74HCT08DR SN74HC08QDRQ1
SN74HC14DBR SN74HCT245DWR
SN74HCT00DR SN74HCS08PWR
SN74HCS08QDYYRQ1 SN74HC00DR
SN74HC164DR SN74HC74DR
SN74HC573NSR SN74HCS7266PWR
SN74HCS09QDRQ1 SN74HC04PWR
SN74HC14DR SN74HC393NSR
更多产品型号请联系咨询

TI德州仪器电池管理 IC电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ294534 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的 4.55V 过压保护 (OVP) 器件
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ2982 禁用 0V 充电功能且适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ294506 适用于 2 到 3 节锂离子电池、具有 4.38V OVP 的过压保护器件
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
BQ77905 3 至 5 节串联锂离子和锂磷酸盐低功耗堆叠式电池保护器

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD93501-Q1 - 新产品 - Synchronous buck monolithic smart power stage
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

LP8867C-Q1
高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
其他同类型号：
TPS92519-Q1 - 汽车 2A 双路同步降压 LED 驱动器
LP8864-Q1 - 具有 4 个 200mA 通道的汽车显示 LED 背光驱动器
LP8864S-Q1 - 具有 4 个 150mA 通道的汽车显示 LED 背光灯
LP8866-Q1 - 具有 6 个 200mA 通道的汽车显示 LED 背光驱动器
LP8866S-Q1 - 具有 6 个 150mA 通道的汽车显示 LED 背光灯
LP8867-Q1 - 具有电力线 FET 保护的高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
LP8867C-Q1 - 高集成度 4 通道 120mA 汽车类 LED 驱动器
供货详细信息请咨询我们的业务人员。