关键词 |
DTS射频芯片焊片,DTS焊片,DTS功率器件焊片,DieTopSystem焊片 |
面向地区 |
全国 |
加工定制 |
是 |
熔点 |
450℃ |
材质 |
银 |
是否含助焊剂 |
否 |
新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装，以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例，导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术，
众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是结合了烧结银，铜箔和其他材料的一种复合材料，由以下四个部分组成：具有键合功能的铜箔；预涂布AS9385系列烧结银；烧结前可选用临时固定的胶粘剂；保护膜或者承载物。
全国DieTopSystem烧结银焊片热销信息
