NCP1207ADR2G，AC-DC电源管理ON进口原装供货

NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 （LDO） 正线性稳压器，能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流，大压差为 1.2 V（800 mA）。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压，没有维持稳压的小负载要求。此外，还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ADT7462ACPZ-REEL
CAT24M01HU5I-GT3
MC74ACT541DWR2G
74VCX163245MTDX
FFH50US60S-F085
NCV97400MW00R2G
NCP81111MNB5TXG
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NCV7805BDTRKG线性稳压器是单片集成电路，设计为固定电压稳压器，适用于各种应用，包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器，但可以与外部元件一起使用，以获得可调节的电压和电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV70628MW001R2G
NCV70517MW002R2G
FFSB2065BDN-F085
FFSH1265BDN-F085
NRVTS1545EMFST1G
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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FCH085N80-F155功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET II， 800 V， 46 A， 85 mΩ， TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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