产品别名 |
场效应管,三极管,晶体管,MOS管 |
面向地区 |
加工定制 |
是 |
|
激励方式 |
光泵式 |
波段范围 |
远红外 |
运转方式 |
增强型 |
封装外形 |
SMD(SO)/表面封装 |
型号 |
STP4435A |
材料 |
P-FET硅P沟道 |
STP4435可替代型号：
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459
产品描述
STP4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用，如液晶显示器背光，笔记本电脑等
计算机电源管理和其他电池供电电路。
产品参数
-30V / -9.2a，RDS（ON）= - 22mΩ（典型值 )
@ VGS = - 10V
-30V / -7.0a RDS（ON）＝30mΩ
@ VGS = 4.5v
密度电池设计极低的RDS（on）特殊的阻力和大值直流电流的能力
SOP-8封装设计
产品规格书：
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