关键词 |
辽宁硅通孔填充⼯艺,硅通孔填充⼯艺晶圆,芯片拉力测试 ,烧结银 |
面向地区 |
全国 |
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度,可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说,低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充,中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充,⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明,电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外,
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术,具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中,通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术,以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。
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