有源器件专用集成电路STM32F765VGH6,ST意法32位单片.. 免费发布专用集成电路信息

STM32F765VGH6,ST意法32位单片机优势原装供货

更新时间:2024-07-02 13:09:45 编号:4d2u75fr5fa785
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周玉军

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AVAGO/安华高光耦
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STM32F765VGH6,ST意法32位单片机优势原装供货

主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性:
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM),以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电,工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件,从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备,包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STM32F038C6T6
STM32F042C4U6
STM32F038C6T7
STM32F042C6U7
STM32F031F4P7
STM32F031G4U7
STM32F042F6P7
STM32F051K6U6
STM32F042K4U6
STM32F051K4U7
STM32F031C6T7
ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器(512 KB 闪存和 128 KB SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 (FSMC)(适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备)、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法单片机MUC型号(部分):
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 (FERD)该单整流器基于专有技术,可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装,旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号:
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力(TJ= 200 °C)
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号:
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 (C开放源码软件) 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分单片机型号:
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
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详细资料

主营行业:IC集成电路
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
主营地区:深圳
企业类型:有限责任公司(自然人独资)
注册资金:人民币1000000万
公司成立时间:2018-12-27
经营模式:生产型
最近年检时间:2018年
登记机关:南山局
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^
公司邮编:518000
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