铌酸锂晶体常见三种制备方法
产品别名 |
铌酸锂晶体 |
面向地区 |
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型号 |
HC-49S |
铌酸锂晶体有两个特点非常受关注，一是铌酸锂晶体光电效应多，具备包括压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等几种光电性能;二是铌酸锂晶体的性能可调控性强，它是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺陷结构所导致，铌酸锂晶体的诸多性能可以从晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控。
铌酸锂晶体的制备
(1)同成分铌酸锂晶体
针对同成分铌酸锂晶体来讲，其制备大多采用提拉法。虽然泡生法、导模法、温梯法等方法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，但和提拉法对比并没有明显优势以及具有明确的业务需求，因此并未得到广泛的关注。
(2)近化学计量比铌酸锂晶体
近化学计量比铌酸锂晶体虽然具备诸多的光电性能，但其配比偏离固液同成分共熔点，没法采用常规提拉法生长晶体，目前大多采用的制备方法有富锂熔体法、助熔剂法、扩散法。
(3)铌酸锂单晶薄膜
铌酸锂单晶薄膜可以运用在光波导、声学器件等微纳结构及其制备硅基等混合集成器件等多个方面，人们老早就开始探索铌酸锂单晶薄膜的制备，不过真正得到应用的方法只有“离子切片”(IonSlicing)技术，目前已实现了商品化，可以提供厚度为300~900nm的单晶薄膜产品。
现阶段，铌酸锂晶体生产技术成熟，企业市场份额占比较高。在市场中，德国爱普科斯、日本住友、德国KorthKristalle是市场份额排名的铌酸锂生产企业。
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