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现有晶圆片生产过程中,需要从一道生产工序转移到下一道生产上,现有技术中依靠人力进行传送,传送过程的耗费人力,且人为传送力道不能掌握,容易造成破片。为此,我们提供了一种自动晶圆传片器以解决以上问题。
通过设置设备箱体、卡匣定位结构、检测机构和推料机构,使得在晶圆片传送时能够通过卡匣定位结构对卡匣进行定位,然后再通过检测机构检测卡匣内晶圆片的位置,避免晶圆片错位,后通过推料机构实现卡匣的传送,整个传送过程简单、易操作,实现自动化传片,且能够对晶圆片进行检测避免晶圆片错位造成传片损坏。
晶圆经过前道工席后芯片制备完成,还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来,后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割,激光切割可以减少剥落和裂纹的问题,但是在100um以上时,生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割,等离子切割速度快,不会对晶圆表面造成损伤,从而提高良率,但是其工艺过程更为复杂。
很长一段时间,锯切一直是被广泛使用的传统的切割方法,其大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。然而,如果切片速度大幅提高,小芯片边缘剥落的可能性就会变大。因此,应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。
蓝膜由于受其温度影响乃粘性度会发生变化,而且本身粘性度较高,因此,一般较大面积的芯片或者wafer减薄划切后直接进行后封装工艺,而非直接进行倒封装工艺做Inlay时,可以考虑使用蓝膜。
内圆切割时晶片表层损害层大,给CMP产生挺大黔削抛光工作中;刃口宽。材料损害大。品片出率低;成木高。生产效率低;每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、光伏”等的供应制造商,主要产品包括Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。我们一贯秉承诚实、守信的原则,为广大客户提供,放心的产品及服务。
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