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英飞凌MOSFET管原装 |
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汽车场效应管应用
在汽车应用中,MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装,每颗芯片经得起检验!
英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑,包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度,而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中,英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能,而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货,让您合作无忧。
12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”,指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS(开启).第二类是“有源”,非常适合宽开关频率,并提供业界佳的品质因数(FOM)以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系,网站内手机,期待你的合作!
静电保护_浪涌电压保护:当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以竞争力的价格提供的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
SPW32N50C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
SPW47N65C3FKSA1
2N7002H6327XTSA2
AUIRF1404ZSTRLCT
AUIRF1405ZS-7TRL
AUIRFS3004-7P-IR
AUIRFS3006-7P-IR
AUIRFSA8409-7TRL
BSC009NE2LSCT-ND
BSC010N04LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1
BSC011N03LSATMA1
BSC014N04LSATMA1
BSC014N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1
BSC019N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1
BSC028N06NSATMA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速!
IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 D2Pak 封装
优点:
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平:针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化,能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装(高达 195 A,取决于芯片尺寸)
可进行波峰焊
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IRL1404ZSTRLPBF
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF
IRL60SC216ARMA1
IRLML2402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF
IRLR2905ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3410PBF-INF
IRLU8729-701PBF
ISC0602NLSATMA1
ISC0603NLSATMA1
ISC0702NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1
ISC0802NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1
ISC0804NLSATMA1
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性:
极低的RDS(开启)
出色的栅极电荷 x RDS(开启)(FOM)
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比,可靠性更高
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
————— 认证资质 —————
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