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苏州创芯奇半导体有限公司



IGBT 的开关特 性是指漏极电 流与漏 源电压之间的关系。IG T 处于导通态 ，由于它的PNP 晶 体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流 过MOSFET 的电流 成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。



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