有源器件记忆存储芯片江波龙FEMDNN064G-A3A56原装 免费发布记忆存储芯片信息

江波龙FEMDNN064G-A3A56原装

更新时间:2024-11-26 00:40:20 编号:6829j6b5cb5611
分享
管理
举报
  • 面议

  • 存储芯片,KMFN60012B-B214,KMFE60012A-B214,KMQE60013B-B318,KMQX60013A-B419,KMGX6001BA-B514,KM4D6001KM-B217,KM4X60002M-B321,KMDP6001DB-B425,KMDV6001DB-B625,KM3V6001CB-B708,KM5P9001DM-B424,KM2P9001CM-B518,KM2

  • 2年

王先生

13229481908

微信在线

产品详情

江波龙FEMDNN064G-A3A56原装

关键词
三星存储,三星存储芯片,存储芯片
面向地区
全国

通路业者指出,近日正式接获美光消费零组件相关部门的通知,从5月起DRAM及NAND Flash将不接受低于现阶段行情的询价,意味着美光将不再跟进跌价的要求。美光则表示对于市场传闻不予回应。

从2023年4月现货价格表现来看,DRAM报价跌幅已明显收敛,各项规格的单月跌幅均缩小至5%以内。由于外界预期三星减产项目将锁定主流DDR4产品,故相较于3月DDR4 8Gb及16Gb跌幅约达到7~8%,4月DDR4 16Gb微幅下滑1~2%,DDR4 8Gb(512M*16)跌幅不到1%,仅DDR3 4GB仍下滑近4%,但较3月逾6%跌幅也有趋缓。

受到上游原厂的价格止血动作频频,中国业界指出,近期部分存储价格出现拉涨现象,现货价格颇有提前止稳的现象,故第2季存储合约价跌幅可望持续缩小。

留言板

  • 存储芯片KMFN60012B-B214KMFE60012A-B214KMQE60013B-B318KMQX60013A-B419KMGX6001BA-B514KM4D6001KM-B217KM4X60002M-B321KMDP6001DB-B425KMDV6001DB-B625KM3V6001CB-B708KM5P9001DM-B424KM2P9001CM-B518KM2三星存储三星存储芯片
  • 价格商品详情商品参数其它
  • 提交留言即代表同意更多商家联系我

公司介绍

我司主要代理国产蓝牙芯片,NFC芯片,读卡芯片,蓝牙模块,读卡模块,存储芯片,MTK套片,等等。

小提示:江波龙FEMDNN064G-A3A56原装描述文字和图片由用户自行上传发布,其真实性、合法性由发布人负责。
王先生: 13229481908 让卖家联系我