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晶圆经过前道工席后芯片制备完成,还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来,后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割,激光切割可以减少剥落和裂纹的问题,但是在100um以上时,生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割,等离子切割速度快,不会对晶圆表面造成损伤,从而提高良率,但是其工艺过程更为复杂。
晶圆切割时,经常遇到较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时,应选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20um)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76um迹道的刀片推荐厚度应该是20~30um。
通常来说,对于小芯片减薄划片时使用UV膜,对于大芯片减薄划片时使用蓝膜,因为,UV膜的粘性可以使用紫外线的照射时间和强度来控制,防止芯片在抓取的过程中漏抓或者抓崩。若芯片在减薄划切实之后,直接上倒封装标签生产线,那么好使用UV膜,因为倒封装生产线的芯片一般比较小,而且设备的顶针在蓝膜底部将芯片顶起。如果使用较大粘性剥离度的蓝膜,可能使得顶针在顶起芯片的过程中将芯片顶碎。
UV膜与蓝膜相比,它的粘性剥离度可变性使得其性很大,主要作用为:用于wafer减薄过程中对wafer进行固定;water划切过程中,用于保护芯片,防止其脱落或崩边,用于wafer的翻转和运输,防止已经划好的芯片发生脱落。规范化使用UV膜和蓝膜的各个参数,根据芯片所需要的加工工艺,选择合适的UV膜或者蓝膜,即可以节省成本,又可以加进芯片产业化发展。
内圆切割时晶片表层损害层大,给CMP产生挺大黔削抛光工作中;刃口宽。材料损害大。品片出率低;成木高。生产效率低;每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
在芯片的分割期间,刀片碾碎基础材料(晶圆),同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内,改善切割品质,和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
主营行业:半导体设备 |
公司主营:晶圆理片器,晶圆转换器,晶圆挑片器,晶圆校准器 |
主营地区:苏州工业园区东富路32号B栋206室 |
企业类型:私营股份有限公司 |
注册资金:人民币81万 |
公司成立时间:2013-02-01 |
员工人数:5 - 10 人 |
研发部门人数:5 - 10 人 |
经营模式:生产+贸易型 |
经营期限:2013-01-01 至 2043-02-21 |
最近年检时间:2023年 |
登记机关:苏州工业园区市场监督管理局 |
年营业额:人民币 10 万元/年以下 |
年出口额:人民币 10 万元/年以下 |
年进口额:人民币 10 万元/年以下 |
经营范围:苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、晶圆校准器pre-aligner、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。 |
厂房面积:1000平方米 |
月产量:11111111111111台 |
是否提供OEM:是 |
质量控制:第三方 |
公司邮编:215000 |
公司电话:0512-62386149 |
公司传真:0512-62386149 |
公司邮箱:15962404138@163.com |
公司网站:http://www.so-sch.com.cn |