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深圳生产晶圆扶梯晶圆工具扶梯

更新时间:2024-05-04 03:36:34 编号:6e1td948g585be
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张先生

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刀痕,自动校准基准线位置,防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。清洗部位配备水汽二流体清洗装置,能对加工物进行清洗。半自动划片机LX3356机台可作业8时wafer,含自动光学补偿、聚焦及自特征点功能,配有高低倍两种镜头,可用于切割道宽度测量、基准线补偿调整等。可自动检测切割刀痕,自动校准基准线位置,防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。

顶面碎片,它发生晶圆的顶面,变成一个合格率问题,当切片接近芯片的有源区域时,主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。
背面碎片发生在晶圆的底面,当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候,BSC变成一个合格率问题。如果背面碎片的尺寸在10um以下,忽略不计。另一方面,当尺寸大于25um时,可以看作是潜在的受损。可是,50um的平均大小可以接受,示晶圆的厚度而定。

蓝膜由于受其温度影响乃粘性度会发生变化,而且本身粘性度较高,因此,一般较大面积的芯片或者wafer减薄划切后直接进行后封装工艺,而非直接进行倒封装工艺做Inlay时,可以考虑使用蓝膜。

UV膜与蓝膜相比,它的粘性剥离度可变性使得其性很大,主要作用为:用于wafer减薄过程中对wafer进行固定;water划切过程中,用于保护芯片,防止其脱落或崩边,用于wafer的翻转和运输,防止已经划好的芯片发生脱落。规范化使用UV膜和蓝膜的各个参数,根据芯片所需要的加工工艺,选择合适的UV膜或者蓝膜,即可以节省成本,又可以加进芯片产业化发展。
硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率大,同时资产拥有的成本小。可是,挑战是增加的产量经常减少合格率,反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加,切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。进给速度也影响刀片寿命。在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。
在芯片的分割期间,刀片碾碎基础材料(晶圆),同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内,改善切割品质,和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。

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