W25Q64JVSSIM，WINBOND/华邦存储芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W9825G6JB系列型号：
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述：
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级：-6，-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范，支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点：
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4，194，304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式：标准和低功耗  CAS 延迟：2 和 3 
突发长度：1、2、4、8 和整页 
突发读取，单次写入模式  字节数据由LDQM控制， UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口：LVTTL  采用 TFBGA 54 球 （8x8 mm2） 封装，
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
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W29N02KV系列产品：
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。
它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。
每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，176 字节。每个页面由 2，048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成（备用区域通常用于错误管理功能）。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。

W29N02GV系列产品说明：
2G 位 3.3V NAND 闪存，2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size
同系列型号：
W29N02GVSIAA
W29N02GVBJAA
W29N02GVBIAF
W29N02GVBIAA
一般描述 ：W29N02GV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276，824，064 字节，并组织成 2，048 个 135，168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2，048 字节和备用数据区域的 64 字节组成（备用区域通常用于错误管理功能）。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口，使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号（CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该器件还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙碌），用于监控器件状态。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
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NAND+LPDDR2系列：
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性：
一般描述
W25N01GW（1G 位）串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
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W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。