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650V超结高压COOLMOS内阻40毫欧NCE70R1K2D型号IPP65R060CFD7

更新时间：2023-09-12 11:42:54 信息编号：7715oh2sn7a39d
650V超结高压COOLMOS内阻40毫欧NCE70R1K2D型号IPP65R060CFD7

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  • 超结COOLMOS,碳化硅二极管

何雪荣

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产品别名
650V超结高压COOLMOS,内阻40毫欧,碳化硅二极管,碳化硅
面向地区
封装
其它

650V超结高压COOLMOS内阻40毫欧NCE70R1K2D型号IPP65R060CFD7

特征描述
采用超快体二极管，Qrr极低
650V 击穿电压
相较于竞品，开关损耗显著降低
RDS(on)的温度依赖性极低

优势
的硬换向稳健性
总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
可实现更高的功率密度
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现轻载效率
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
应用领域
电动汽车快速充电
电信基础设施
服务器电源
太阳能系统解决方案
上一条 黄石可行性研究报告公司石家庄规划选址论证报告编制单位 下一条

深圳市中广芯源科技有限公司 8年

  • 充电ic,升降压ic,快充ic,运算放大器
  • 深圳市宝安区沙井街道中心路金达诚大厦

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