>电源与电池>电源适配器>NCE4614N和P-信道增强模式电源MO.. 免费发布电源适配器信息
广告

NCE4614N和P-信道增强模式电源MOSFET

更新时间:2021-11-02 10:48:40 信息编号:79108pp09943b1
NCE4614N和P-信道增强模式电源MOSFET
  • 面议

  • 新洁能

  • 12v

  • 使用的沟槽技术,提供的RDS(ON),低栅极充电,高功率和电流处理能力

分享

详情介绍

产品别名
NCE3010S,NCE2060K,NCE3416,NCE0117
面向地区
品牌
新洁能
输出电压
12v
快出货时间
1-3天
发票
不提供发票
充电器适用形式
充电插头
OEM
可OEM
调制方式
脉冲宽度调制(PWM)式
是否原装
品牌非原装
售后服务
全国联保
适用产品
数码相机
货源类别
现货
是否支持一件代发
支持

NCE4614N和P-信道增强模式电源MOSFET

NCE4614使用的沟槽技术,提供的RDS(ON)和低栅极充电。互补的mosfet可用于形成一个电平移动的高侧开关,并用于许多其他应用程序。一般功能●N通道VDS=40V,ID=8ARDS(开启)<19mΩ@VGS=10VRDS(ON)<29mΩ@VGS=4.5V●P通道VDS=-40V,ID=-7ARDS(ON)<35mΩ@VGS=-10VRDS(开)<45mΩ@VGS=-4.5V●高功率和电流处理能力●无铅产品获得●表面安装包

深圳市大东微电子有限公司 4年

  • 电子元器件,场效应管
  • 广东深圳福田

———— 认证资质 ————

没有个人认证
企业认证已通过
天眼查已核实
手机认证已通过
没有微信认证

最近来访记录

  • 北京丰台网友用Nexus5手机一个月前在百度APP访问了本页

相关推荐产品

留言板

  • NCE3010SNCE2060KNCE3416NCE0117使用的沟槽技术提供的RDS(ON)低栅极充电高功率和电流处理能力
  • 价格商品详情商品参数其它
  • 提交留言即代表同意更多商家联系我
深圳市大东微电子有限公司为你提供的“NCE4614N和P-信道增强模式电源MOSFET”详细介绍,包括使用的沟槽技术价格、型号、图片、厂家等信息。如有需要,请拨打电话:13802251853。不是你想要的产品?点击发布采购需求,让供应商主动联系你。
“NCE4614N和P-信道增强模式电源MOSFET”信息由发布人自行提供,其真实性、合法性由发布人负责。交易汇款需谨慎,请注意调查核实。
留言询价
×