产品别名 |
自动光刻机,接触式光刻机,紫外光刻机,全自动接触式光刻机 |
面向地区 |
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用途 |
生产 |
全自动接触式光刻机可定制晶圆尺寸4-12寸光刻精度高
全自动接触式光刻机可定制晶圆尺寸4-12寸 （上海）
全自动单 /双面接近式曝光机，兼容方形片光刻 4-12寸晶圆单、双面曝光机 灵活多选定制
主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级封装、（TSV）等领域。
wafer 6”（100-150mm 全自动曝光机兼容型）
把涂有光刻胶的晶圆与掩膜重叠，显微镜和X?Y?θ，实现多层曝光时的自动对位，
对位台。自动进行基板调整、对位、曝光、传送。
主要特点：
◆ 采用自动平行调整机构,能够地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
◆ 利用自的高速图像处理技术,实现的对位。
◆ 利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。
◆ 利用自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜地接触。
◆ 通过Wafer的背面机械手真空吸着方式,实现高速度和以及稳定的自动搬送。
规格参数
曝光面积： 6寸”（可定制4-12\"）
曝光照度不均匀性：≤3%；
曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；
紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；
紫外光中心波长：365nm；（可选汞灯全波段）
紫外光源寿命：≥2 万小时；
分离量：0～≥1090um 可调；
对准精度：≤1μm；
曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；
曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光
定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋
转精度 Q≤0.001°；
图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋
转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。
掩模版尺寸： 7”x7 “（可定制）
晶圆尺寸： 6“（可定制）
A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；
装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；
晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；
版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；
曝光定时：0～999.9 秒可调；
生产节拍：10 秒+曝光时间；
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