TLC6C5716QDAPRQ1，TI德州仪器原装供应商

TPD2E009DRTR：
具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TPS259827LNRGET产品描述：
具有负载电流监测和可调节瞬态故障管理功能的 2.7V 至 24V、2.7mΩ、15A 电子保险丝
TPS25982 的说明：
TPS25982 系列电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。这些器件可在宽输入电压范围内工作。单个器件适用于需要小 I*R 压降的低电压系统以及需要低功率耗散的高电压、高电流系统。它们能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。
更多其他型号：
TPD2E009DRTR TPS22965QWDSGTQ1
TPD3F303DQDR TPS24700DGK
TPD4E002DRLR TPS259231DRCT
TPD4S214YFFR TPS259520DSGR
TPS2001CDGKR TPS259520DSGT
TPS2001CDGNR TPS259824LNRGER
TPS22922YZPR TPS259824ONRGET
TPS22925CYPHR TPS259827LNRGET
我们只做原装，欢迎咨询合作！

TMS320C6655GZHA
单核 C66x 和浮点 DSP- 高达 1.25GHz
TMS320C6655 的特性
一个 (C6655) 或两个 (C6657) TMS320C66x ™ DSP 内 核子系统 (CorePacs)，每个系统都拥有
850 MHz（仅 C6657），1.0 GHz 或 1.25 GHz C66x / 浮点 CPU 内核
1.25 GHz 时，运算速度为 40 GMAC / 内核
针对浮点 @ 1.25GHz 的 20 GFLOP / 内核
存储器
每内核 32K 字节程序 (L1P) 内存
每核 32K 字节数据 (L1D) 内存
每核 1024K 字节本地 L2

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询