STM32L4Q5CGT6P，意法32位微控制器MCU供应商

STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！