关键词 |
可控硅 |
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封装外形 |
平板形 |
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二极 |
可控硅有多种分类方法:
1、按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种;
2、按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅;
3、按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种;
4、按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装;
5、按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅;
6、过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,是过零点才触发,导通可控硅;
7、非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。
晶闸管的种类:
1、按关断、导通及控制方式分类:晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种;
2、按引脚和性分类:晶闸管按其引脚和性可分为二晶闸管、三晶闸管和四晶闸管;
3、按封装形式分类:晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种;
4、按电流容量分类:晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装;
5、按关断速度分类:晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和(快速)晶闸管。
晶闸管的工作条件:
1、晶闸管承受反向阳电压时,不管门承受何种电压,晶闸管都处于关断状态;
2、晶闸管承受正向阳电压时,仅在门承受正向电压的情况下晶闸管才导通;
3、晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳电压,不论门电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门失去作用;
4、晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
晶闸管的工作原理:
1、晶闸管具有单向导电性:正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加触发信号;
2、晶闸管一旦导通,控制失去作用:若使其关断,降低UAK或加大回路电阻,把阳电流减小到维持电流以下;
晶闸管的结构:晶闸管由四层半导体材料构成,它有三个:阳,阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管导通的条件:
1、晶闸管阳与阴间接正向电压;
2、控制与阴之间也接正向电压(实际工作中,控制加正触发脉冲信号);
晶闸管导通后,控制便失去作用。依靠正反馈,晶闸管仍可维持导通状态。
关断晶闸管的方法:将阳电压降低到足够小或加瞬间方向阳电压、将阳瞬间开路。
晶闸管的过电流保护:
1、过电流:当流过晶闸管的电流有效值超过它的额定通态平 均电流的有效值时,称为过电流;
2、原因:负载过重,输出回路短路等;
3、过电流保护:当发生过电流时,能迅速将电流切断,以防晶闸管损坏;
4、措施:灵敏过电流继电器保护、快速熔断器保护等;
5、快速熔断器 。
晶闸管的过电压保护 :
1、过电压:当加在晶闸管上的电压超过额定电压时称为过电压。
2、原因:电源变压器的一次侧断开或接通、直流侧感性负载的 切断、快速熔断器的熔断、突然跳闸等。
3、措施:
①、阻容保护 :吸收回路作用:一旦电路中发生过电压,电容器被迅速充电,电容两端的电压不能突变,这就有效地抑制了过电压。阻容吸收回路可以并联在交流侧、直流侧或晶闸管侧;
②、非线性电阻保护:目前常用的非线性电阻是金属氧化物压敏电阻,它具有正反向相同的很陡的电压—电流特性;
电路正常工作时,压敏电阻不击穿,通过的漏电流很小。压敏电阻在遇到过电压时可通过高达数千安的放电电流,之后又恢复正常, 因此它抑制过电压的能力很强;
由于压敏电阻正反向特性对称,单相电路中只用一只压敏电阻,三相电路中用三只压敏电阻。
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