有源器件专用集成电路STD10N60DM2,ST场效应管原装供货 免费发布专用集成电路信息

STD10N60DM2,ST场效应管原装供货

更新时间:2024-12-03 02:01:56 编号:9d33bdpc86882e
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  • ST意法场效应管MOSFET原装系列

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周玉军

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STD10N60DM2,ST场效应管原装供货

关键词
ST意法场效应管MOSFET原装系列
面向地区
全国

STM32F105R8T6特性:
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器,具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM),以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STF26N65DM2
STF26NM60N
STF27N60M2-EP
STF28N60DM2
STF28N60M2
STF28N65M2
STF2LN60K3
STF2N62K3
STF2N95K5
STF33N60DM6
STF33N60M2
STF33N65M2
STF35N65DM2ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配,易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号:
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力(TJ= 200 °C)
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分MOSFET场效应管型号:
STB18NF25
STB18NM80
STB20NM60D
STB20NM60T4
STB21N90K5
STB23N80K5
STB23NM60ND
STB24N60DM2
STB24N60M2
STB25NF06LAG
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET,采用 DPAK 封装,该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发,该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD3NK100Z
STD3NK50ZT4
STD3NK60Z-1
STD3NK80Z-1
STD3NK80ZT4
STD3NK90ZT4
STD40NF03LT4
STD40NF10
STD45N10F7
STD4LN80K5
STD4N80K5
STD4N90K5
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD8N65M5
STD8N80K5
STD95N4F3
STD96N3LLH6
STD9N60M2
STD9N60M6
STD9N65M2
STD9NM50N
STD9NM60N
STDLED625H
STE40NC60
STE88N65M5
STF100N10F7
STF10N105K5
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STFW2N105K5,N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-3PF封装
STFW45N65M5,N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET,TO-3PF封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STF10NM60N
STF10P6F6
STF11N50M2
STF11N60DM2
STF11N60M2-EP
STF11N65M2
STF11N65M2(045Y)
STF11N65M5
STF11NM50N
STF11NM60ND
STF11NM65N
STF11NM80
STF12N120K5
STF12N50M2
STF12N65M2
STF12N65M5
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深圳市鑫富立科技有限公司
  • 唐苏军
  • 广东 深圳
  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2018-12-27
  • 人民币1000000万
  • IC集成电路
  • MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
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