TPS2553DBVR-1，TI原装集成电路

TI德州仪器接口芯片分类CAN、LIN 收发器和 SBC：
汽车 CAN 收发器
汽车 LIN 收发器
系统基础芯片
3.3V CAN 收发器
5V CAN 收发器
隔离式 CAN 收发器
SN65HVD233-EP
增强型产品 3.3V CAN 收发器
SN65HVD233-Q1
正在供货
3.3V 汽车类 CAN 总线收发器
TI德州仪器部分型号：
SN74AUP2G17DCKR SN65LVDS104PWR
SN74AUP2G32DCUR SN65LVDS108DBTR
SN74AVC2T245RSWR SN74AHC1G32DBVR
SN74AVC4T245PWR SN74AHC1G32DCKR
SN74AVC4T245RSVR SN74AUC1G08DCKR
SN74AVC4T774RSVR SN74AUC2G66DCTR
SN74CB3Q3125PWR SN74AUP1G04DPWR
SN74CB3Q3253PWR SN74AUP1G07DCKR
SN74CB3Q3257PWR SN74AUP1G14DCKR
SN74CB3Q3305PWR SN74AUP1G17DCKR

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD93501-Q1 - 新产品 - Synchronous buck monolithic smart power stage
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

主营产品：MCU单片机、存储芯片、晶振谐振器、滤波双工器、传感器、射频芯片、电源管理芯片、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、安防监控芯片、WIFI芯片、汽车芯片。
DS90UB927QSQX/NOPB
具有双向控制通道的 5MHz - 85MHz 24 位彩色 FPD-Link III 串行器
DS90UB927Q-Q1 的特性
双向控制通道接口，可连接到 I2C 兼容串行控制总线
低电磁干扰 (EMI) FPD-Link 视频输入
支持高清 (720p) 数字视频格式
支持 5MHz 至 85MHz 像素时钟 (PCLK)
支持 RGB888 + VS、HS、DE 和 I2S 音频
多达 4 个针对环绕立体声应用的 I2S 数字音频输入
4 条具有 2 个引脚的双向通用输入输出 (GPIO) 通道
通过 1.8V 或 3.3V 兼容 LVCMOS I/O 接口实现 3.3V 单电源运行
长达 10 米的交流耦合屏蔽双绞线 (STP) 互连
具有嵌入式时钟的直流均衡和扰频数据

TPS610987DSER
具有集成 LDO 和 VSUB 有源放电功能的 4.3V 输出电压同步升压转换器
TPS610987 的特性
低功耗模式下具有 300nA 低 IQ
启动至负载（输入电压为 0.7V）
工作输入电压范围为 0.7V 至 4.5V
可选输出电压高达 4.3V
小 350mA 开关峰值电流限制
集成 LDO/负载开关
由 MODE 引脚控制的两种模式
工作模式：两路输出均处于设定值
低功耗模式：LDO/负载开关关闭；升压转换器继续运行